基本資料
| 開始日期： | 2008/05/11 |
| 結束日期： | 2008/05/14 |
詳細內容
ISTDM為二年舉辦一次之國際研討會。由於矽鍺材料近年來在半導體技術上的快速進展，於半導體製程上已扮演極為重要之角色，特別是在CMOS的製程領域。本研討會邀集國際相關領域知名學者專家，針對元件物理、技術、電路及應用等之最新研究成果、技術發展現況及未來趨勢，藉由專業性之互動研討交流，促進未來SiGe相關元件、材料的製程技術與應用技術有更深入的探討。
※ISTDM 2008 Website：http://www.ndl.org.tw/istdm2008/index.php
